Jinsi ya Kukata Seli za Sola za Vipande Vingi Vizuri Zaidi?

Jibu la haraka: Kukata seli kamili katika nusu, theluthi au vipande vidogo huongeza nguvu ya moduli kwa kupunguza mkondo ambao kila ukanda hubeba, jambo ambalo hupunguza upotevu wa kipingamizi katika riboni. Faida hupungua kadiri ukanda unavyokuwa mdogo, na gharama ya kimakanika huongezeka. Mbinu tatu zinatawala. Kuchora kwa leza kikifuatiwa na kuvunja kwa mitambo ni njia ya haraka zaidi na huleta mzigo mdogo wa joto, lakini ubora wa ukingo wa kuvunja hutegemea kina cha kuchora. Kukata kwa leza kamili hutenganisha seli kwa mwanga pekee na hutoa ukingo safi kwa kasi ya chini. Utenganishaji wa leza kwa joto huchanganya leza na hatua ya kupoza ili mpasuko ueneze kwenye njia inayodhibitiwa. Vipimo vinavyohusika huanzia urefu wa mawimbi ya leza wa 532 nm kupitia ukubwa wa vipengele karibu 1 µm na 20 µm hadi 100 µm, na voltage ya ukanda ni ndogo — karibu 0.55 V — hivyo faida hutokana na kipingamizi, si kutoka kwa voltage.

Utengenezaji wa Moduli za PV · na Jerry, Ooitech

Utangulizi

TOPCon, SHJ na BC" title="Jinsi ya Kukata Seli za Sola za Vipande Vingi Vizuri Zaidi? Ukweli Usiotarajiwa Kuhusu Upotevu wa Kingo katika seli za n-type TOPCon, SHJ na BC"/>

Kufuatilia nguvu kubwa ya moduli, wahandisi mara nyingi hukata seli moja kubwa katika 1/2, 1/3 au hata "seli ndogo" zaidi, kisha kuziunganisha tena katika mfululizo na sambamba ndani ya moduli. Lengo ni kupunguza mkondo na kupunguza upotevu wa nguvu wa upinzani. Lakini kila ukataji mmoja huacha "jeraha" lisilofunikwa kando ya seli. Majeraha hayo hubadilika kuwa mitego ya wabebaji, na hula ndani ya voltage ya mzunguko wazi (Voc) na kipengele cha kujaza (FF). Kadiri seli ndogo inavyopungua, ndivyo upotevu huu wa muunganiko wa pembeni unavyoumiza zaidi.

Njia ya kawaida ya tasnia leo, "uchoraji wa laser + upasuzi wa mitambo" (L&C), huacha uharibifu mkubwa wa joto kando ya ukataji. Na kwa miaka, uwanja umekubaliana juu ya jambo moja: uchoraji upande wa p-n junction husababisha uharibifu mkubwa zaidi, kwa hivyo "upande wa p-n junction ndio kizuizi kikuu cha upotevu wa pembeni". Imani hiyo ilizaa mbinu ya kawaida ya "kuchora kutoka upande wa n-n+ ili kulinda p-n junction".

Lakini je, "akili ya kawaida" inayokubalika sana kweli inaakisi tabia halisi ya umeme ya p-n junction? Au ni athari tu ya joto la laser?

Ugunduzi wa Msingi: Tabia Halisi ya Umeme Inayovunja Makubaliano

Timu ya utafiti katika taasisi ya FUNSOM ya Chuo Kikuu cha Soochow ilichapisha kazi katika Nano Energy kwa kutumia mbinu mpya ya ukataji wa uharibifu mdogo wanaoiita "upasuzi wa mzunguko wa 45°". Inaepuka kwa werevu uharibifu wa joto la laser na kuchunguza tabia halisi ya umeme ya ukingo wa p-n junction. Hitimisho liliwashangaza tasnia:

Chini ya ukataji wa uharibifu mdogo, ufanisi wa ukusanyaji wa wabebaji wa pembeni upande wa p-n junction kwa kweli ni wa juu zaidi kuliko upande wa n-n+. Kwa maneno rahisi: kuchora kutoka upande wa p-n junction ni mkakati bora wa kiviwanda. Hiyo inabadilisha miaka ishirini ya mazoea yaliyokubalika.

Jinsi ya Kufungua Ukingo wa Seli Bila Kuiumiza

Ili kusoma "tabia ya asili ya umeme ya kiungo cha p-n", kwanza unapaswa kutatua tatizo gumu. Njia ya jadi kukata kwa laser huacha tabaka lililoyeyushwa upya na kuganda upya, pamoja na nyufa ndogo na rundo la uharibifu wa joto kando ya ukingo, na yote hayo huchafua uchunguzi wowote wa kiungo cha p-n na tabia ya muunganiko wa uso. Timu ilichukua njia tofauti, kwa kutumia tabia ya mpasuko isiyo na mwelekeo wa fuwele za silikoni kupendekeza mbinu ya "mpasuko wa mzunguko wa 45°":

Hatua ya kwanza: zungusha wafer kwa 45° ndani ya ndege.

Hatua ya pili: chora mstari wa kina kifupi kwenye ndege ya (100) kwa kutumia chombo cha almasi.

Hatua ya tatu: pasua kando ya familia ya ndege ya {110} ili kupata sehemu ya msalaba tambarare kwa kiwango cha atomiki, isiyo na uharibifu wa joto.

Sehemu ya msalaba ya ukingo inayopatikana kwa njia hii huhifadhi uadilifu wake wa kimuundo na wa umeme. Ikiunganishwa na mbinu ya kupiga picha ya volti ya picha yenye azimio la mikromita, unaweza kuchanganua tabia ya umeme karibu na ukingo nukta kwa nukta, bila kuumiza kiungo cha p-n.

Jaribio lilitumia leza ya 532 nm (kina cha kupenya takriban 1.3 µm), kufikia azimio la anga la takriban 1 µm chini ya lenzi ya 50×, wazi vya kutosha kunasa tabia ya kuoza kwa volti ya picha ndani ya makumi ya mikromita kutoka ukingo.

Matokeo ya Majaribio

Kielelezo 1. Athari ya ukataji kwenye uadilifu wa kiungo cha p-n (a, b), mchoro wa mbinu ya mpasuko wa mzunguko wa 45° (c, d), na michoro ya miundo mitatu ya seli za ufanisi wa juu (e-g).

Kielelezo 1a kinaonyesha mchakato wa jadi wa L&C ukichora upande wa kiungo cha p-n: kwanza leza huondoa mfereji kwenye uso wa seli (alama ya Laser), kisha nguvu ya kimakanika huvunja seli. Kielelezo 1b ni sehemu ya msalaba ya SEM ya ukingo baada ya ukataji wa L&C. Unaweza kuona wazi sehemu hiyo imegawanyika katika kanda mbili. Sehemu ya juu ni "eneo la uondoaji wa leza", likionyesha umbo la wazi la kuyeyushwa na kuganda tena. Sehemu ya chini ni "eneo lililotenganishwa kwa mkazo", lililoraruliwa na nguvu ya kimakanika, likiacha nyufa nyingi ndogo zisizo za kawaida na madimbwi ya kuyeyuka. Uharibifu huu wa joto ndio hasa unaosababisha kupanda kwa mkondo wa uvujaji na kushuka kwa utendaji wa seli.

Ikumbukwe: leza inapochora upande wa kiungo cha p-n, kiungo cha p-n chenyewe huharibiwa kabisa na joto. Kwa hivyo, "jambo" ambalo tasnia ilikuwa ikiliona kila wakati, kwamba "upande wa kiungo cha p-n ndio kizuizi cha upotevu wa ukingo", kwa kweli ni athari ya uharibifu wa joto.

Kielelezo 1c kinaonyesha mbinu ya kupasua kwa mzunguko wa 45° iliyopendekezwa hapa: zungusha wafer kwa 45° kuzunguka mhimili wa ndani ya ndege, chora uso wa (100) kwa kichoro cha almasi, kisha chana kando ya ndege ya kupasua ya {110}. Kielelezo 1d ni picha ya SEM ya ukingo uliopasuliwa, kipimo cha mstari 20 µm. Sehemu ya msalaba ni tambarare sana na safi, hakuna alama za kuyeyuka kabisa, ikihifadhi kikamilifu muundo na uadilifu wa umeme wa kiungo cha p-n. Hiyo ndiyo funguo ya kusoma "tabia asilia".

Kazi hii inachunguza teknolojia tatu kuu za seli za n-type zenye ufanisi wa juu: TOPCon, SHJ na TBC. Zinashirikiana sifa moja. Kwenye substrate ya n-type c-Si hubeba kiungo cha p-n (homo- au heterojunction) na kiungo cha n-n+ cha juu-chini. Kwa hivyo kusoma tabia zao za ukingo kunatoa mwongozo wa moja kwa moja kwa uzalishaji halisi wa viwandani.

Kielelezo 2. Uchambuzi wa photovoltage ya ukingo wa mbele wa seli za TOPCon, SHJ na TBC.

Kielelezo 2a kinaonyesha leza ya 532 nm ikichanganua kutoka ukingo wa uso wa mbele wa seli kuelekea ndani, ikifanya kazi na jukwaa la usahihi la XY na kipaza sauti cha umeme kurekodi ishara ya photovoltage kwa wakati halisi, hatimaye kujenga ramani ya photovoltage ya 2D. Kielelezo 2b ni picha ya photovoltage ya upande wa mbele ya TOPCon, SHJ na TBC (kushoto kwenda kulia). Rangi angavu zaidi inamaanisha photovoltage ya juu. Seli zote tatu zinaonyesha "ukanda wa gradient" wa wazi ndani ya ~100 µm kutoka ukingo, photovoltage ya chini karibu na ukingo. Hiyo ni ushahidi wa moja kwa moja wa upotevu wa muunganiko wa ukingo.

Kulinganisha tatu: TOPCon ina photovoltage ya juu zaidi (0.40–0.55 V) na inajaa haraka zaidi. TBC ina ya chini zaidi (0.36–0.49 V) na inaoza polepole zaidi, kumaanisha muunganiko wake wa ukingo ni mbaya zaidi. Matokeo haya yanapingana na akili ya kawaida ya "kiungo cha p-n ni kizuizi", kwa sababu upande wa mbele (upande unaoelekea mwanga) kwa kawaida ndipo kiungo cha p-n kinapokaa.

Kielelezo 2c kinarekebisha wasifu wa photovoltage uliotolewa kando ya mstari wa vitone vyeusi katika Kielelezo 2b. Mikondo yote mitatu inaonyesha "chini ukingoni, juu kwenye tambarare", lakini kasi ya kujaa (inayoakisi urefu wa muunganiko wa ukingo) inatofautiana wazi:

• TOPCon: eneo fupi zaidi la kuoza, karibu kujaa ndani ya takriban 100 µm, upotevu mdogo zaidi wa ukingo.

• SHJ: eneo la kati la kuoza, karibu kujaa kwa ~200 µm.

• TBC: urejeshaji wa polepole zaidi, ukienea hadi ~500 µm kabla ya kujaa kikamilifu, upotevu mbaya zaidi wa ukingo.

Kielelezo 2d kinaeleza fizikia nyuma ya tofauti hizo. Shimo linalozalishwa na mwanga huishia kufanya moja ya mambo mawili: kukusanywa na elektrodi, au kusafiri hadi ukingoni na kuunganika.

TOPCon: emitter mbele, njia fupi sana ya kukusanya shimo

Uso wa mbele ni emitter ya p+. Mashimo yanahitaji tu kuvuka emitter nyembamba sana ili kukusanywa na elektrodi ya mbele, kwa hivyo mashimo mengi "hayapati nafasi" kufikia ukingo. Wakati huo huo, uwanja mkali unaoundwa na p+ emitter / SiOx / n-poly-Si unabaki kuwa na ufanisi ukingoni pia, ukitenganisha wabebaji haraka. Hiyo ndiyo sababu ya msingi TOPCon ina upotevu mdogo zaidi wa ukingo.

SHJ: mbele inakusanya elektroni, mashimo yanachukua njia ndefu

Uso wa mbele wa SHJ ni n-a-Si:H, ambao hukusanya elektroni. Mashimo yanapaswa kuenea hadi nyuma p-a-Si:H kabla ya kukusanywa, njia ndefu sana. Ongeza safu ya TCO yenye uendeshaji mkubwa inayofanya kazi kama "barabara kuu", ikibeba mashimo mengi kwa upande kuelekea ukingo, na muunganiko wa ukingo unaongezeka kwa kiasi kikubwa.

TBC: elektrodi zote ziko nyuma, uharibifu kamili

Katika TBC kila elektrodi iko nyuma. Wabebaji wanaozalishwa kwenye uso wa mbele wanapaswa kusafiri kwa upande katika wafer nzima ili kukusanywa. Mbaya zaidi, safu ya mbele ya Al2O3 passivation ina chaji nyingi hasi zisizobadilika, ikisababisha safu ya mkusanyiko wa mashimo kwenye uso wa Si na kuunda "njia ya uendeshaji wa mashimo" inayosukuma mashimo kwa nguvu zaidi kuelekea ukingo.

Kidokezo cha haraka: tabia ya photovoltage ya upande wa mbele huwekwa hasa na vitu viwili, "umbali wa ukusanyaji wa wabebaji" na "kama njia ya usafirishaji wa upande ipo", na haihusiani na mwelekeo wa p-n junction yenyewe.

Kielelezo 3. Uchambuzi wa photovoltage ya ukingo wa nyuma wa seli za TOPCon, SHJ na TBC.

Kielelezo 3a kinaonyesha skanning ya laser kutoka ukingo wa nyuma. Kielelezo 3b ni ramani ya photovoltage ya 2D inayolingana. Ikilinganishwa na Kielelezo 2b, seli zote tatu zinaonyesha photovoltage ya nyuma ya chini kuliko upande wa mbele (kwa sababu uso wa mbele kwa kawaida una muundo bora wa kuzuia mwanga na matumizi ya juu ya mwanga). Kielelezo 3c kinafunua kitu cha kuvutia: "mshindi" wa ukingo wa nyuma anakuwa TBC. Ingawa SHJ pia ina p-n junction nyuma, photovoltage yake ya ukingo kwa kweli ni ya chini kuliko TOPCon, ambayo inaonyesha zaidi "nafasi ya p-n junction" si sababu pekee inayoamua upotevu wa ukingo. Kielelezo 3d kinaonyesha utaratibu wa usafirishaji wa wabebaji wachache wa upande wa nyuma. Nyuma ni maalum: n-poly-Si ya nyuma ina mkusanyiko mkubwa wa elektroni, ikiunda mazingira ya uwanja mkali ambayo huzuia mashimo lakini inakuza ukusanyaji wa elektroni.

Upande wa nyuma wa TOPCon: "njia ya haraka" ya mashimo inazuiwa

Mkusanyiko mkubwa wa elektroni katika n-poly-Si ya nyuma huzuia usafirishaji wa mashimo. Mashimo lazima yavuke substrate yote ya n-type c-Si kufikia p+ emitter ya mbele kabla ya kukusanywa. Usafirishaji huu wa "umbali mrefu" hufanya photovoltage ya upande wa nyuma kuwa ya chini kwa ujumla, lakini pia hupunguza idadi ya mashimo yanayofikia ukingo.

Upande wa nyuma wa SHJ: heterojunction ni nguvu, lakini TCO ni upanga wenye makali mawili

Heterojunction ya n-type c-Si / p-a-Si:H ya SHJ kwa kweli hutoa utenganishaji wa wabebaji wenye nguvu zaidi kuliko TOPCon, lakini TCO yake ina upinzani mdogo wa kando na bado "inafunga mzunguko mfupi" sehemu kubwa ya mashimo hadi ukingo. Matokeo: uwezo mkubwa wa utenganishaji haimaanishi upotezaji mdogo wa ukingo.

Upande wa nyuma wa TBC: HSC ya shimo iko pale pale nyuma, faida ya uwanja wa nyumbani

HSC ya upande wa nyuma ya TBC inakabiliana moja kwa moja na mashimo yanayozalishwa na mwanga. Wabebaji hukusanywa pale pale nyuma, hivyo wachache sana hutiririka hadi ukingo, na photovoltage ya upande wa nyuma hujaa haraka zaidi.

Kidokezo kifupi: tabia ya photovoltage ya upande wa nyuma inaonyesha mwelekeo "uliopinduliwa" ikilinganishwa na mbele. TBC ni mbaya zaidi mbele lakini bora zaidi nyuma, ikionyesha kwamba "upande upi unakabiliana na mwanga" ni muhimu zaidi kuliko "upande upi ni p-n junction".

Kielelezo 4. Modeli ya usambazaji wa photovoltage ya sehemu ya msalaba ya seli za TOPCon na SHJ.

Ikiwa Kielelezo 2 na 3 vinaangalia ukingo "kutoka kando", basi Kielelezo 4 kinaukata "kwa mwendo wa msalaba". Laser inaskena moja kwa moja kwenye sehemu ya msalaba, hivyo unaona tabia yote ya umeme kutoka p-n junction hadi n-n+ kwa mpigo mmoja. Hii ni sehemu ya awali zaidi ya utafiti. Kielelezo 4a ni ramani ya photovoltage ya sehemu ya msalaba ya TOPCon, kutoka kushoto kwenda kulia upande wa mbele (p+ emitter / p-n junction) na upande wa nyuma (n-poly-Si / n-n+ junction). Unaweza kuona upande wa kushoto (p-n junction) una mwanga zaidi kwa ujumla, na upande wa kulia (n-n+) ni mweusi zaidi. Mzunguko uliotolewa katika Kielelezo 4b ni wazi sana: kutoka upande wa p-n junction hadi upande wa n-n+, photovoltage inapungua kwa mfululizo, na eneo lote la kupungua ni karibu 100 µm. Matokeo haya yanakataa kabisa maoni ya jadi kwamba "p-n junction ni kizuizi cha upotevu wa ukingo", kwa sababu chini ya hali ya uharibifu mdogo upande wa p-n junction badala yake ni eneo la photovoltage ya juu. Kielelezo 4c kinatoa sababu ya kimwili: kwa upande wa p-n junction (p+ emitter) wabebaji wachache (holes) wanasafiri umbali mfupi tu ili kukusanywa, wakati kwa upande wa n-n+ (eneo la n-poly-Si) holes lazima zivuke n-type c-Si yote ili kufikia p+ emitter, njia ndefu yenye uwezekano mkubwa wa recombination, hivyo upotevu ni mkubwa zaidi. Kielelezo 4d–f kinaonyesha mwelekeo huo huo kwenye seli za SHJ: kutoka p-n junction ya nyuma (p-a-Si:H / n-c-Si) hadi n-n+ junction ya mbele (i/n-a-Si:H / n-c-Si), photovoltage tena inapungua kwa mfululizo. Utaratibu huu unaoshikilia katika miundo tofauti ya seli ni mojawapo ya hoja za msingi za utafiti.

Ili kuelezea hili kwa kiasi, timu ilitoa modeli ya mwelekeo mmoja ya uenezaji wa wabebaji wachache. Kielelezo 4g ni mchoro wa modeli, unaonyesha mzunguko (rangi ya machungwa) ukipungua kwa mfululizo kutoka upande wa p-n junction (hole select contact, HSC) kuelekea upande wa ESC (electron select contact, ESC). Kielelezo 4h kinahusisha zaidi tabia ya wabebaji kwenye pande za HSC na ESC:

• Upande wa HSC: wabebaji wachache (holes) hukusanywa kwa umbali mfupi, uwezekano mdogo wa recombination.

• Upande wa ESC: wabebaji wachache lazima waenezwe umbali mrefu ili kufikia HSC, wakijikusanya kwa wingi njiani.

• Utaratibu wa kutenganisha wabebaji wa p-n junction una faida mbili za contact iliyodungwa kwa wingi pamoja na contact iliyopitishwa, ufanisi zaidi kuliko junction ya kawaida ya juu-chini (n-n+).

Kumbuka haraka: modeli ya photovoltage ya sehemu ya msalaba inathibitisha kwa kiasi kwamba "utendaji wa umeme wa upande wa p-n junction unashinda upande wa n-n+", na inapendekeza "urefu wa uenezaji wa wabebaji wachache L" kama kipimo kipya cha kutathmini upotevu wa ukingo.

Kielelezo 5. Uchambuzi wa photovoltage ya sehemu ya msalaba wa seli ya TOPCon iliyotengenezwa kwa mbinu ya viwanda ya kutenganisha kwa laser ya joto (TLS).

Ili kuangalia kama hitimisho la mbinu ya kupasua kwa 45° linashikilia kwa ukataji wa kiwandani, timu ilitumia mbinu ya "utenganishaji wa leza ya joto" (TLS) (Kielelezo 5a) — kwanza leza hutibu mapema upande wa p-n junction (Pre-grooving kwenye kielelezo), kisha maji ya kupoza yanasaidia utenganishaji. TLS ni mojawapo ya mbinu za ukataji wa uharibifu mdogo zinazotambulika leo. Kielelezo 5b ni picha ya photovoltage ya sehemu ya msalaba ya TOPCon baada ya ukataji wa TLS: upande wa kushoto (p-n junction) ni wazi zaidi kuliko upande wa kulia (n-n+). Mstari wa kiasi kwenye Kielelezo 5c unaonyesha kwamba kutoka p-n junction hadi upande wa nyuma, photovoltage bado inashuka kwa mfululizo, ikilingana kikamilifu na matokeo ya kupasua kwa 45°.

Uthibitisho muhimu: hata kwa mbinu ya TLS ya kiwandani (kukata moja kwa moja kutoka upande wa p-n junction), photovoltage bado inaonyesha mwelekeo wa "p-n junction juu, n-n+ chini". Hii inasema kwamba chini ya ukataji wa uharibifu mdogo, "p-n junction" si kizuizi kabisa, bali ndipo faida ilipo. Uzoefu wa awali wa sekta kwamba "upande wa p-n junction hufanya vizuri zaidi" katika ukataji wa TLS hatimaye unathibitishwa na majaribio na nadharia.

Kielelezo 6. Uchambuzi wa photovoltage ya sehemu ya msalaba wa seli za TBC na THBC, pamoja na mchoro wa mkakati wa ukataji wa p-n junction wa uharibifu mdogo.

Kielelezo 6a na 6b ni picha za photovoltage za sehemu ya msalaba za seli za TBC na THBC. TBC ina photovoltage ya juu zaidi, 0.39 V, na THBC ni chini kidogo (0.21 V), lakini zote zinaonyesha mgawanyo wa anga wa wazi wa "p-n junction angavu, n-n+ giza". Mistari iliyotolewa kwenye Kielelezo 6c na 6d inafuata mtindo sawa na Kielelezo 4: kushuka kwa mfululizo kutoka p-n junction kuelekea n-n+. Inafaa kutajwa hasa ni kijisehemu kidogo kwenye Kielelezo 6c: "mgawanyo wa mwelekeo" wa photovoltage kwa kila muundo wa seli unaonyesha mtindo wa "juu-kushoto mnene, chini-kulia hafifu", ikimaanisha faida ya umeme ya upande wa p-n junction ni ya jumla katika miundo na michakato. Kielelezo 6e inaeleza kinachofanya seli za mawasiliano ya nyuma kuwa maalum: HSC hukusanya mashimo "karibu" nyuma, na ESC hukusanya elektroni "karibu" nyuma. Vibeba wachache (mashimo) yanayozalishwa katika eneo la p-n junction yanahitaji umbali mfupi tu kufikia HSC, hivyo hasara ni ndogo; vibeba wachache katika eneo la n-n+ wanapaswa kusafiri safari ndefu, hivyo hasara ni kubwa zaidi. Mtindo huu unalingana kabisa na TOPCon na SHJ. Kwa kuzingatia ushahidi wote huu, timu ilipendekeza mkakati mpya kabisa wa ukataji kwenye Kielelezo 6f:

Mapendekezo ya sekta

Chini ya ukataji wa uharibifu mdogo (kama vile TLS), unapaswa kukata kutoka upande wa makutano ya p-n. Sababu: upande wa makutano ya p-n una ufanisi wa juu wa kutenganisha wabebaji pamoja na njia fupi ya usafirishaji wa wabebaji wachache. Hata chini ya usumbufu fulani wa mchakato, hudumisha utendaji mzuri wa umeme. Pendekezo hili linapinga desturi ya miaka ishirini ya tasnia ya "kuepuka kugusa makutano ya p-n".

Maoni ya Ooitech

Kwa uaminifu hii ni mojawapo ya matokeo ambayo kwa utulivu huandika upya tabia ya ngazi ya mstari badala ya vipimo vya kichwa cha habari. Hitimisho kwa yeyote anayeendesha mstari wa aina ya n: unganisha mapishi yako ya kukata kwa laser na fizikia ya wabebaji ya seli yenyewe, na usiweke kipofu tu alama ya kuchora upande wa n-n+ kwa sababu tu hiyo ilikuwa sheria ya zamani. Utenganishaji wa uharibifu mdogo (mtindo wa TLS) ndio kipengele halisi kinachowezesha hapa, na kurekebisha mchakato huo kwenye mashine ya kukata kwa laser ya seli ya jua ndipo hasa watengenezaji wa moduli hupata au kupoteza Voc na FF halisi. Tunajenga vituo vyetu vya kukata na kufunga kamba ili kuweka uharibifu wa pembeni chini katika miundo ya TOPCon, SHJ na BC, kwa hivyo aina hii ya utafiti inaendana moja kwa moja na uzalishaji. Ikiwa unataka kuona jinsi hatua hizi zinavyoonekana kwenye mstari unaoendesha, chaneli ya YouTube ya Ooitech iko www.youtube.com/ooitech inafaa kufuatiliwa.