# Teknolojia ya Seli za Sola za TBC (TOPCon Back Contact): Kamili > Maelezo ya kina ya teknolojia ya seli za jua za TBC (TOPCon Back Contact / POLO-IBC), ikijumuisha muundo wake, mtiririko kamili wa mchakato ![Teknolojia ya Seli za Sola za TBC (TOPCon Back Contact): Kamili](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260712/b328022a0ca3c179e39311d2ccf4fb5d.webp) - ** 2026-07-12 - ** Maoni 438 - ** [Blogu](./Blog.html) ## Teknolojia ya Seli za Sola za TBC (TOPCon Back Contact): Kamili **Jibu la haraka:** TBC, au TOPCon back contact, ni seli ya mawasiliano ya nyuma inayotumia mawasiliano ya TOPCon ya kupitisha hewa kwenye sehemu ya nyuma badala ya mawasiliano ya heterojunction. Inakaa ndani ya mfululizo mpana wa njia ambapo tasnia inasonga kutoka nyuso za nyuma zinazofanana kuelekea usanifu wa nyuma uliotofautishwa kimaeneo, ikitenga aina tofauti ya mawasiliano kwa kila eneo la nyuma. Kwa mtengenezaji, umuhimu wa TBC ni uoanifu wa mchakato: kwa kuwa inajengwa juu ya hatua za mchakato wa TOPCon ambazo mistari tayari inaendesha, ni aina ya mawasiliano ya nyuma ambayo inagharimu kidogo zaidi kuasili kutoka kwa msingi wa TOPCon uliowekwa. Kazi ya upimaji na ubainishaji inayohusika — zana za maisha ya wabebaji kama vile daraja la WCT-120 — inakuwa muhimu zaidi kwa TBC kuliko kwa seli ya mawasiliano ya mbele, kwa sababu muundo wa nyuma ndipo ubora wa upitishaji hewa unapoamua ufanisi. Ukaguzi wa upande wa nyuma pia unakuwa zana ya mavuno badala ya ukaguzi wa ubora. Utengenezaji wa Moduli za PV · na Jerry, Ooitech ## Muhtasari wa Teknolojia Mahali ambapo TBC inakaa katika mfululizo mpana wa njia, na kwa nini utangamano wa mchakato sasa unahitajika zaidi kuliko muundo, imefafanuliwa katika [Ramani ya teknolojia ya seli za BC: kutoka muundo hadi mchakato](https://www.ooitech.com/bc-cell-technology-roadmap-structure-to-process.html). Maudhui yaliyo hapa chini yanashirikiwa kwa marejeleo tu. Ikiwa kuna ukiukaji wowote wa kiufundi au mwongozo usio sahihi, jisikie huru kuwasiliana na mwandishi kwa kuondoa au kurekebisha. ### TBC ni nini? TBC inasimama kwa [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) Back Contact. Inaunganisha passivation ya TOPCon (oksidi ya tunnel pamoja na poly-silicon) na muundo wa IBC wa interdigitated back contact, hivyo watu pia huiita seli ya POLO-IBC. Inaunganisha kwa kina upitishaji wa oksidi ya handaki ya TOPCon / poly-Si na mpangilio wa mawasiliano ya nyuma ya IBC. Hiyo inakupa upitishaji mkubwa wa nyuma wa TOPCon pamoja na faida ya IBC ya kutokuwa na kivuli cha gridi ya mbele, huku mkusanyiko wote wa sasa ukihamishwa nyuma. Matokeo yake ni voltage ya juu ya mzunguko wazi na mkondo wa juu wa mzunguko mfupi. Ni mojawapo ya njia kuu za ufanisi wa juu za aina ya N kwa kizazi kijacho. ### Faida kuu - Hakuna mistari ya gridi ya chuma ya mbele, kwa hivyo upotezaji wa kivuli cha mbele unaondolewa na Isc inaongezeka - Upitishaji wa handaki wa TOPCon hupunguza muunganisho wa nyuma na kuinua Voc - Mpangilio wa mawasiliano ya nyuma ya P/N ulioshirikiana huboresha njia ya mkusanyiko wa wabebaji na kupunguza upinzani wa mfululizo - Ikilinganishwa na TOPCon ya kawaida na IBC ya kawaida, inasawazisha ubora wa upitishaji na muunganisho wa kimuundo - Inaoana na vifaa vingi vya msingi kwenye mistari iliyopo ya aina ya N, kwa hivyo mchakato unaweza kuboreshwa hatua kwa hatua ### Jinsi inavyolinganishwa na seli za kawaida - TOPCon ya kawaida: kivuli cha gridi ya mbele, upitishaji wa TOPCon wa eneo kamili nyuma - IBC ya kawaida: muundo wa mawasiliano ya nyuma, lakini upitishaji unategemea oksidi ya silicon / nitridi ya silicon, hakuna upitishaji wa poly-Si wa handaki - TBC (POLO-IBC): muundo wa mawasiliano ya nyuma ya IBC pamoja na upitishaji wa handaki wa TOPCon uliounganishwa, kwa hivyo muundo na upitishaji vyote vimeboreshwa ## Muhtasari wa Mtiririko Kamili wa Mchakato Wafer inayoingia → kusafisha kabla / kuondoa uharibifu wa msumeno → oksidi ya handaki ya nyuma + uwekaji wa poly-Si (LPCVD) → uwekaji wa mask ya SiN ya nyuma → ufunguzi wa kwanza wa laser ya nyuma (eneo la boroni) → udopingi wa boroni (p-poly) → ufunguzi wa pili wa laser ya nyuma (eneo la fosforasi) → udopingi wa fosforasi (n-poly) → kusafisha ili kuondoa uenezaji wa kuzunguka / BSG / PSG → uwekaji wa filamu ya passivation ya nyuma → uchapishaji wa mask ya nta kulinda nyuma → uchoraji wa maandishi ya mbele + kuchonga kwa kutenganisha P/N → uwekaji wa filamu ya passivation ya anti-reflection ya SiN ya mbele na nyuma → uchapishaji wa skrini wa elektrodi ya chuma ya nyuma → kuoka → jaribio la umeme → kupanga na kufunga ## Maelezo ya Kina ya Mchakato ### 3.1 Kusafisha na kung'arisha (kusafisha kabla + kuondoa uharibifu wa msumeno) Lengo: kuondoa safu ya uharibifu wa msumeno, uchafu wa metali kwenye uso, chembe na mafuta; kung'arisha wafer upande mmoja au pande mbili ili kupata msingi safi na tambarare wa silicon na kuhakikisha uwekaji wa safu ya handaki ya baadaye unakuwa sawa. Vifaa vikuu: mstari wa kusafisha na kung'arisha kwa njia ya maji, tanki la kung'arisha la alkali, tanki la kusafisha la asidi. Kemikali muhimu: alkali kali (NaOH/KOH), HF, HCl, IPA, kiongeza cha uchoraji, surfactant. Vitu muhimu vya ufuatiliaji: - Kupungua kwa uzito wakati wa kung'arisha: mizani ya elektroniki - Uakisi wa uso: kipimo cha uakisi - Maisha ya wabebaji wachache iVoc: kipimo cha maisha ya muda mfupi WCT-120 - Picha ya muunganiko wa wabebaji: kipimo cha PL (R3-PL) - Ukwaru na usafi wa uso: darubini ya macho Udhibiti wa ubora: uharibifu wa msumeno umeondolewa kikamilifu, hakuna madoa au hatua kwenye uso, kupungua kwa uzito kwa usawa, hakuna kushuka kwa maisha ya wabebaji kunakoonekana. ### 3.2 Oksidi ya handaki + uwekaji wa poly-Si Lengo: kukuza oksidi nyembamba sana ya handaki (SiO₂) kisha safu ya poly-Si ya asili kwenye nyuma ya wafer, na kuunda muundo wa msingi wa passivation wa TOPCon kwa passivation kali ya shamba na kemikali na muunganiko mdogo wa nyuma. Vifaa vikuu: tube LPCVD. Vyanzo vya gesi: SiH₄, O₂, N₂ (kibebaji / kusafisha). Vitu muhimu: - Unene wa Poly-Si: kipimo cha unene wa poly, ellipsometer - Unene wa oksidi ya handaki: ECV, ellipsometer - iVoc (WCT-120) - Usawa wa PL - Upinzani wa karatasi (ufuatiliaji wa poly asili kabla ya udopingi) Udhibiti wa ubora: oksidi nyembamba sana na sare, poly-Si mnene na isiyo na matundu, uthabiti mzuri wa unene kwenye wafer. ### 3.3 Uwekaji wa mask ya SiN ya nyuma Lengo: kuweka safu mnene ya silicon nitride (SiNₓ) kwenye poly-Si asilia kama mask ya kuzuia kwa hatua za baadaye za kufungua kwa laser na doping, kuwezesha maeneo ya doping teule. Vifaa vikuu: PECVD. Vyanzo vya gesi: SiH₄, NH₃, N₂. Mambo muhimu: unene wa SiN (spectroscopic ellipsometer), fahirisi ya refractive na usawa, iVoc, usawa wa PL. Udhibiti wa ubora: mask mnene, hakuna matundu, unene sare ili kuhakikisha utengano wa doping. ### 3.4 Ufunguzi wa kwanza wa laser nyuma (dirisha la uenezaji wa boroni) Lengo: kuondoa kwa kuchagua mask ya SiN juu ya eneo la uenezaji wa boroni kwa ablation ya laser ya ndani wakati wa kuweka poly-Si asilia chini, kufungua dirisha kwa poly ya p-type ya baadaye. Vifaa vikuu: mfumo wa kufungua kwa laser ya fiber / nanosecond au picosecond, chombo cha juu cha usahihi cha uundaji wa laser. Urekebishaji wa mchakato: rekebisha nguvu ya laser, kiwango cha kurudia, kasi ya kuchanganua na mwingiliano wa doa ili mask ya SiN ya juu tu iondolewe na poly-Si asilia chini isiharibiwe, kuweka msingi wa passivation salama. Utabainishaji muhimu: ukaguzi wa darubini ya macho ya umbo la mfereji, uadilifu wa kingo, na kama safu ya poly imechomwa. ### 3.5 Doping ya boroni nyuma (p-poly) Lengo: kusambaza boroni kwenye poly-Si asilia katika eneo lililofunguliwa ili kuibadilisha kuwa poly ya p-type iliyodopingiwa sana (p-poly), wakati wa kuunda BSG juu ya uso. BSG baadaye hufanya kama mask ya kuzuia asilia kwa uenezaji wa fosforasi. Vifaa vikuu: tanuru ya bomba ya uenezaji wa boroni. Vyanzo vya mchakato: chanzo cha kioevu BBr₃; mazingira O₂, N₂. Utabainishaji muhimu: upinzani wa karatasi wa eneo la p, usawa wa doping, uadilifu wa ufunikaji wa BSG, usawa wa doping wa PL. Udhibiti wa ubora: doping ya boroni ya kutosha, upinzani wa karatasi sare, BSG inayoendelea na kamili bila mapengo ya ndani. ### 3.6 Ufunguzi wa pili wa laser nyuma (dirisha la uenezaji wa fosforasi) Lengo: kuondoa mask ya SiN iliyobaki ili kufichua poly-Si asilia isiyodopingiwa kama eneo la doping la fosforasi la n-type, wakati wa kuweka safu ya BSG iliyoundwa tayari salama kutokana na uharibifu wa laser. Vifaa vikuu: mfumo wa uundaji / ufunguzi wa laser. Lengo la mchakato: udhibiti sahihi wa nishati ya leza ili kuepuka kutoboa safu ya BSG, kudumisha mpaka safi wa kutenganisha kati ya kanda za P na N. ### 3.7 Uwekaji wa fosforasi wa nyuma (n-poly) Lengo: kusambaza fosforasi kwenye poly-Si ya asili ya dirisha la pili ili kuunda poly yenye doping nyingi ya aina ya n (n-poly). BSG iliyoundwa katika hatua iliyopita hufanya kazi kama kizuizi cha kujipanga, kuzuia fosforasi kusambaa katika eneo la p-poly na kufikia kujitenga kwa kanda za P/N. Vifaa vikuu: tanuru ya bomba la usambazaji wa fosforasi. Vyanzo vya mchakato: chanzo cha kioevu POCl₃; mazingira O₂, N₂. Kanuni muhimu: BSG iliyobaki hufanya kazi kama kizuizi cha asili cha usambazaji na kuzuia uchafuzi wa fosforasi katika eneo la p-poly. Baada ya usambazaji wa fosforasi, BSG hubadilika sehemu kuwa oksidi mchanganyiko ya boroni-fosforasi, ambayo huimarisha zaidi kutenganisha. Sifa muhimu: upinzani wa uso wa kanda ya n, kutenganisha mpaka wa P/N, ufuatiliaji wa mwelekeo wa uvujaji. ### 3.8 Usafishaji ili kuondoa usambazaji wa kuzunguka (kuondoa BSG/PSG) Lengo: kuondoa kwa kemikali BSG, PSG na mabaki ya uso wote, na kuondoa tabaka za doping za kuzunguka na kando ili kuepuka uvujaji wa kando. Vifaa vikuu: mstari wa usafishaji wa mvua wa ndani. Kemikali muhimu: hasa HF, pamoja na viungo vya asidi na mfumo wa asidi iliyobadilishwa. Visaidizi vya mchakato: kupuliza hewa safi kavu, kukausha kwa hewa moto. Udhibiti wa ubora: glasi ya oksidi imeondolewa kabisa, uso safi bila mabaki, hakuna mabaki ya kuzunguka kwenye kando. ### 3.9 Uwekaji wa filamu ya kinga ya SiN ya nyuma Lengo: kuweka filamu ya kinga ya SiN kwenye muundo wa poly wa P/N uliounganishwa wa nyuma ili kupunguza na kulinda eneo la mawasiliano ya nyuma na kuzuia mashambulizi ya kemikali katika hatua za baadaye. Vifaa vikuu: PECVD. Vyanzo vya gesi: SiH₄, NH₃, N₂. Sifa: unene wa SiN, fahirisi ya refractive, usawa wa filamu. ### 3.10 Upakaji wa mask ya nta ya nyuma (mask ya kinga) Lengo: kupaka kabisa nyuma kwa safu ya kinga ya nta kwa uchapishaji wa skrini ili kuzuia muundo wa mawasiliano ya nyuma wa P/N ulioundwa na filamu ya SiN, kuzuia etch ya mbele ya baadaye kushambulia tabaka za kazi za nyuma. Vifaa vikuu: kichapishi cha skrini (kituo cha uchapishaji wa nta). Lengo la udhibiti: uchapishaji kamili wa nta, hakuna kuruka uchapishaji, hakuna mashimo madogo, kuziba vizuri kwa kando ili nyuma ibaki ikilindwa wakati wote. ### 3.11 Usafishaji wa mbele wa kemikali ya etching + kuondoa wax na kusafisha Lengo: 1. Ondoa doping ya ziada na tabaka za uharibifu kwenye sehemu ya mbele ya wafer 2. Weka muundo wa uso wa mbele kuunda uso wa piramidi na kupunguza mwonekano wa mbele 3. Fikia utengano wa kingo kati ya maeneo ya nyuma ya P na N kupitia etching ya kando ili kupunguza uvujaji wa kingo 4. Mwishowe ondoa mask ya wax ya nyuma ili kufichua muundo kamili wa mguso wa nyuma Vifaa vikuu: mstari wa etching na kutengeneza muundo wa pande mbili wa mtandaoni. Kemikali muhimu: alkali kali (NaOH), HF, kiungo cha kutengeneza muundo, etchant iliyobadilishwa. Vyanzo vya gesi: hewa safi iliyobanwa, kupuliza kwa N₂. Udhibiti wa ubora: muundo wa mbele unaofanana, mofolojia ya piramidi iliyostahili, utengano sahihi wa P/N, hakuna njia ya uvujaji, kuondoa wax safi bila mabaki. ### 3.12 Filamu ya SiN ya kuzuia mwonekano na passivation ya mbele na nyuma Lengo: weka filamu ya SiN ya kuzuia mwonekano na passivation kwenye sehemu ya mbele kwa ajili ya kuzuia mwonekano na passivation ya uso; ongeza na boresha filamu ya passivation ya nyuma ili kuboresha zaidi passivation na uaminifu. Vifaa vikuu: PECVD. Vyanzo vya gesi: SiH₄, NH₃, N₂. Sifa: unene wa filamu ya mbele na nyuma, fahirisi ya refractive, maisha ya wabebaji wachache, uakisi. ### 3.13 Uchapishaji wa skrini wa elektrodi ya nyuma na kuchoma Lengo: chapisha elektrodi za fedha-alumini kwenye eneo la nyuma la P na elektrodi za fedha kwenye eneo la poly ya aina ya n ili kuunda elektrodi chanya na hasi za mguso wa nyuma zilizounganishwa, kisha tumia kuchoma kwa joto la juu ili kuunda mguso wa ohmic kati ya chuma na poly-Si iliyowekwa doping. Vifaa vikuu: printa ya skrini ya mguso wa nyuma maalum, tanuru ya kuchoma ya mtandaoni. Hatua muhimu: uchapishaji wa upangaji wa muundo wa elektrodi ya nyuma → kukausha → kuchoma kwa joto la juu (kuunda mguso wa ohmic). ### 3.14 Ukaguzi wa mwisho na upangaji Maudhui ya mchakato: ukaguzi wa EL (kasoro, nyufa ndogo, uvujaji), jaribio la umeme la IV (Voc, Isc, FF, Eff), ukaguzi wa mwonekano, upangaji na kupanga, kufunga na kuhifadhi. Vifaa vya ukaguzi: kipima EL, kipima IV, kituo cha ukaguzi wa mwonekano. ## Changamoto Muhimu na cha Kuzingatia Ni sehemu gani ngumu za teknolojia ya TBC, na wapi uangalifu unapaswa kuelekezwa? - Kudhibiti usawa wa unene wa oksidi ya handaki nyembamba sana ni vigumu - Hatua mbili za kufungua kwa leza zinahitaji usahihi wa juu sana wa upangaji - Kudumisha mask ya BSG inayojipanga yenyewe ni msingi wa mchakato - Uchongaji wa kutenganisha P/N uliopangwa kwa njia ya vidole unakabiliwa na uvujaji wa kingo - Uchapishaji wa elektrodi ya mawasiliano ya nyuma unahitaji usahihi wa juu wa upangaji kuliko seli za kawaida - Kusimamia kupungua kwa maisha ya wabebaji wachache katika mtiririko wote ni vigumu ### Vigezo muhimu vya SPC vya kufuatilia - Unene wa oksidi ya handaki na unene wa poly-Si - Muundo wa kufungua kwa leza na mkengeuko wa upangaji kwa hatua zote mbili - Usawa wa upinzani wa karatasi wa uenezaji wa boroni na fosforasi - iVoc na maisha ya wabebaji wachache ya PL yanafuatiliwa katika mtiririko wote - Uakisi wa mbele na muundo wa kutengeneza maandishi - Mikwaruzo midogo ya EL, uvujaji, na hali ya kutenganisha kingo ## Maoni ya Ooitech TBC inaishi au inakufa kwa maelezo, na mask ya BSG inayojipanga yenyewe ni shujaa wa kimya hapa kwa kuwa inaruhusu kanda za fosforasi na boroni kujipanga zenyewe bila hatua ya tatu ya mask. Tunachofuatilia zaidi kwenye mistari ya moduli ni jinsi seli hizi za mawasiliano ya nyuma zenye Voc ya juu zinavyofanya kazi chini ya mstari katika kuunganisha na kulamina, kwa sababu metali zao zote za nyuma zinabadilisha mchezo wa kuunganisha. Ikiwa unataka kuona mistari halisi ya moduli za aina ya N ikiendeshwa, chaneli yetu ya YouTube [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) ina picha za kiwandani zinazostahili kuangaliwa. --- ##### Lebo : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Omba Nukuu Upakiaji wote ni salama na wa siri. ## Tunatoa utaalamu unaoweza kuamini huduma yetu Vifaa vya Moja kwa Moja kutoka Kiwandani. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Faida za Gharama Nafuu Tunatoa thamani ya kipekee, tukiongeza matokeo huku tukiboresha bajeti za wateja. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Timu Yetu ya Uzoefu Wataalamu wetu wenye ujuzi wamebobea katika suluhisho za kibunifu na mikakati iliyobinafsishwa. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### Uzoefu wa Miaka 15+ katika Sekta Utaalamu wa kina unahakikisha matokeo ya kuaminika, yanayofuata mwenendo, na yaliyothibitishwa kwa mafanikio. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Wateja Wetu Wanasema Nini kuhusu sisi Ushuhuda wa wateja unasifu uelewa wetu wa kina wa changamoto zao, ambao husababisha suluhisho za kibunifu na faida kubwa. Ushirikiano wa muda mrefu—baadhi zaidi ya muongo mmoja—unaonyesha imani na kuridhika kwao. Hadithi zao za mafanikio zinatusukuma kuzidi matarajio kila wakati. [Jifunze Zaidi **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Asante Ooitech kwa kutoa vifaa vya majaribio vya seli za sola za BC vinavyofaa sana. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Asante Ooitech kwa kutoa vifaa vya uzalishaji vinavyojifanya kazi kikamilifu—usakinishaji wenu na huduma baada ya mauzo vimekuwa bora. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Amjad ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Asante tena sana kwa msaada mkubwa sana wa kuboresha na kurekebisha kiwanda na pia kuwafundisha wafanyakazi jinsi ya kutumia mashine ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Mark BIPV Philippines ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Mtu mwenye roho kubwa. Asante sana kwa ziara yako Bw Wu. Asante sana kwa huduma zilizotolewa katika kufunga vifaa na kufundisha wanafunzi wangu. Mtu mkarimu zaidi na mtaalamu katika fani yake ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Taasisi ya Polytechnic ya Jizzakh ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) asante kwa msaada wa kitaalamu wa ooitech na huduma ya baada ya mauzo kwa wakati. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra Kutoka Afrika ## Bidhaa Zetu za Hivi Karibuni ![Mashine ya Kupanga Seli za Sola WS-CL80D: Mzunguko wa 48s, ±0.1mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774318047382785.webp) - [** Rachael](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) - [** 12336](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) ### Mashine ya Kupanga Seli za Sola WS-CL80D: Mzunguko wa 48s, ±0.1mm Ooitech WS-CL80D Mashine ya Kiotomatiki ya Kupanga Seli za Sola ina sifa ya uendeshaji huru wa gantry mbili na vishikio viwili, mhimili mkuu unaoendeshwa na motor ya mstari wenye 0.01mm ![Lamineta ya BIPV ya Kiotomatiki ya Tabaka Moja na Chumba Mbili](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774438506273987.webp) - [** Rachael](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) - [** 63274](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) ### Lamineta ya BIPV ya Kiotomatiki ya Tabaka Moja na Chumba Mbili Ooitech OTCY-2754DD Laminator ya BIPV ya Kiotomatiki ya Tabaka Moja na Chumba Mbili ina maeneo ya uwekaji wa tabaka mawili ya 2700x5400mm, upashaji joto wa juu na chini mara mbili ![Sealant ya Paneli ya Sola na Tape — Silicone, Butyl, Busbar](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032711586064.jpg.webp) - [** Rachael](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) - [** 73088](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) ### Sealant ya Paneli ya Sola na Tape — Silicone, Butyl, Busbar Sealant ya paneli ya sola na tape kwa mkutano wa moduli: sealant ya fremu ya silicone, tape ya butyl na tape ya insulation ya busbar, inayostahimili UV kwa mfiduo wa nje wa miaka 25. ![Mashine ya Kuchomea Sanduku la KS-01C: Mzunguko wa 16s](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774492507915923.webp) - [** Rachael](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) - [** 92407](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) ### Mashine ya Kuchomea Sanduku la KS-01C: Mzunguko wa 16s Ooitech KS-01C Mashine ya Kuchomelea Sanduku la Kuingiliana ina uunganishaji wa kiotomatiki wa bati kwa upau wa moto na uunganishaji wa masafa ya juu wenye usahihi wa uwekaji wa CCD wa ±0.1mm. ![OPT-S110H Kipimo cha EL cha Kamba Nje ya Mtandao: ≤2s, 4.6MP](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774350940561245.webp) - [** Rachael](./offline-string-el-tester-opt-s110h-solar-cell-string-electroluminescence-testing-equipment-ooitech.html) - [** 88272](./offline-string-el-tester-opt-s110h-solar-cell-string-electroluminescence-testing-equipment-ooitech.html) ### OPT-S110H Kipimo cha EL cha Kamba Nje ya Mtandao: ≤2s, 4.6MP OPT-S110H Kipima EL cha Kamba Nje ya Mtandao kutoka Ooitech hutoa ukaguzi wa elektroluminensi wa kasi ya juu kwa kamba za seli za sola hadi 1250mm. ![Mashine ya Kukata Kwa Laser ya Seli za Sola Isiyoharibu](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774252043927784.webp) - [** ooitech](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) - [** 47287](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) ### Mashine ya Kukata Kwa Laser ya Seli za Sola Isiyoharibu Mashine ya kitaalamu ya kukata kwa laser ya seli za sola isiyoharibu GYM-HP8000 yenye teknolojia ya TCS, inayofikia uwezo wa 7600pcs/h, kiwango cha kuvunjika cha 0.03%