# Zaidi ya Ufanisi wa 26.3%: Nini Kimebaki Nyuma?

> Ulinganisho wa kiufundi wa seli ya p-TOPCon ya 26.34% ya makutano ya nyuma na muundo wa n-TOPCon wa 26.66%, ukijumuisha miguso ya tabaka mbili ya SiOx/poly-Si

![Zaidi ya Ufanisi wa 26.3%: Nini Kimebaki Nyuma?](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260724/2026072418751974.webp)

- ** Jerry
- ** 2026-07-24
- ** Maoni 242
- ** [Blogu](./Blog.html)

## Zaidi ya Ufanisi wa 26.3%: Nini Kimebaki Nyuma?

**Jibu la haraka:** Zaidi ya 26.3% ufanisi wa seli, sehemu ya mbele ya seli ya TOPCon iko karibu na uboreshaji na nafasi iliyobaki iko nyuma. Hiyo ndiyo inayoongoza mabadiliko kuelekea miguso ya nyuma ya p-type ya eneo kamili na vidole vya poly-silicon vya ndani, ambavyo hubadilisha jinsi nyuma inakusanya mkondo na ni eneo kiasi gani linatolewa kwa passivation dhidi ya mguso. Miundo iliyopimwa inahusisha mrundikano wa nyuma wenye tabaka karibu 1 nm, 1.5 nm, 36 nm na 90 nm, mguso wa eneo kamili na hatua ya mchakato wa nyuma karibu 650 °C, huku volti za mzunguko wazi zikiripotiwa kuwa 1.961 V kwa vifaa vinavyojadiliwa. Kila moja ya vipimo hivyo hubadilishana upinzani wa mguso dhidi ya muunganisho upya, na kiwango bora hubadilika kadiri sehemu ya mbele inaboreshwa. Kwenye mstari, hii inamaanisha mapishi ya nyuma yanakuwa kigezo hai badala ya sehemu isiyobadilika ya mchakato.

Utengenezaji wa Moduli za PV · na Jerry, Ooitech

## Juu ya Ufanisi wa 26.3%, Ni Nini Kinachosalia Kuboreshwa Nyuma?

“Lao Zhang, kiini cha 26.66% kilitumia muundo kamili wa p-type [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) wa nyuma. Katika karatasi ya 26.34%, sehemu ya mbele ilibadilishwa kuwa vidole vya n-TOPCon vilivyobainishwa eneo, wakati sehemu ya nyuma ikawa mguso wa p-TOPCon wa eneo kamili. Je, mrundikano wa SiOx/poly-Si wa tabaka mbili bado ni ule ule?”

Hilo lilikuwa swali la ufuatiliaji kutoka kwa timu yetu ya mchakato baada ya kumaliza kujadili seli ya 26.66% jana.

**Muundo wa msingi wa tabaka mbili za nyuma unakaribia kunakiliwa kutoka kwa muundo wa 26.66%, lakini upande wa p-TOPCon unatanguliza vitu vitatu vya kurekebisha ambavyo seli ya 26.66% haikugusa. Mkakati wa upande wa mbele pia ni tofauti kabisa. Unahama kutoka kwa emitter ya boroni ya upinzani wa juu wa 430 Ω/□ na kuelekea vidole vya n-TOPCon vilivyowekwa ndani. Hizi ni mbinu mbili tofauti sana za kupunguza muunganiko.**

Karatasi ya 26.34% ya Gao K. et al. inaweza kuonekana kama utafiti wa dada wa kiungo cha nyuma wa kazi ya 26.66%. Kusoma zote mbili pamoja kunatoa picha wazi zaidi ya kile kinachoweza kuhitajika kufikia ufanisi wa 27%.

> Gao, K. et al. “Miguso ya oksidi ya handaki ya pande mbili inayopitisha kwa seli za jua za silicon na perovskite/silicon tandem zenye ufanisi ulioboreshwa.” *Nature Energy* (2026). DOI: [10.1038/s41560-026-02007-8](https://doi.org/10.1038/s41560-026-02007-8)

## Namba Tatu Nyuma ya Seli ya 26.34%

- **Ufanisi wa kiungo kimoja: 26.34%** kwenye 335.5 cm², na Voc ya 743.2 mV, FF ya 85.0% na Jsc ya 41.69 mA/cm².
- **Ufanisi wa tandem: 32.73%**, kwa kutumia seli ya juu ya perovskite ya 1.68 eV. Voc ya tandem ilifikia 1.961 V, wakati 80% ya utendaji wa awali ulibaki baada ya saa 2,000 za ufuatiliaji wa MPP.
- Ufafanuzi wa muundo: **vidole vya n-TOPCon vilivyowekwa mbele katika mpangilio wa kiungo cha nyuma, vikiwa vimeunganishwa na mguso wa nyuma wa p-TOPCon wa tabaka mbili wa eneo kamili**. Hii kimsingi ni mabadiliko ya kioo ya TOPCon ya kawaida, ambayo kwa kawaida hutumia emitter ya boroni ya mbele na mguso wa n-TOPCon wa nyuma.

## Mguso wa Tabaka Mbili wa Nyuma: Mifupa Sawa, lakini Vipengele Vitatu Tofauti vya Mchakato

Mguso wa nyuma wa 26.66% hutumia **SiOx / n+ poly-Si iliyowekwa dopi kidogo / SiOx / n+ poly-Si iliyowekwa dopi nyingi**, na fosforasi kama dopi.

Mguso wa nyuma wa 26.34% hutumia **SiOx / p+ poly-Si kwa 36 nm / SiOx / p+ poly-Si kwa 90 nm**, na dopi ya boroni.

Miundo yote miwili inafuata mfululizo sawa wa msingi: SiOx ya chini, poly-Si ya ndani, SiOx ya kati na poly-Si ya nje. Toleo la p-TOPCon, hata hivyo, linapaswa kushughulikia tatizo la muda mrefu.

> **p-TOPCon daima imekabiliana na uwiano kati ya upitishaji na mguso.** Boroni inaweza kuzalisha kasoro nyingi kwenye kiolesura cha Si/SiO₂ kuliko fosforasi, wakati uwekaji metali wa p+ poly-Si ni mgumu zaidi kwa sababu ya mapungufu ya usafirishaji wa shimo na mwingiliano hafifu kati ya pasta ya fedha ya kawaida na p+ poly-Si.

| Kipengele cha kulinganisha | Mguso wa nyuma wa 26.66%: n-TOPCon ya eneo kamili | Mguso wa nyuma wa 26.34%: p-TOPCon ya eneo kamili |
| --- | --- | --- |
| Utabia wa dopi | Fosforasi, n+ | Boroni, p+ |
| Unene wa poly-Si ya ndani / nje | Takriban 40 / 60 nm | 36 / 90 nm; tabaka la nje lenye unene zaidi hutoa nafasi zaidi kwa uenezaji wa boroni na uwekaji metali |
| SiOx ya kati | Takriban 1.5 nm, iliyooksidishwa kwa joto kwa 620°C | Takriban 1 nm, iliyoundwa kwa uoksidishaji wa joto wa ndani kwa 650°C; nyembamba kwa sababu usafirishaji wa shimo tayari ni mgumu zaidi upande wa p+ |
| Uwekaji joto | Inakadiriwa kuwa katika kiwango cha 880–920°C katika uchambuzi uliopita | Uwekaji joto wa awali kwa 1050°C kwa zaidi ya sekunde 30, kufikia ukamilifu wa kioo wa 98% na kuinua Voc inayodokezwa hadi 747 mV |
| Pasta ya fedha | Pasta ya kawaida, iliyounganishwa na tabaka la nje lisilo na muundo wa kioo ili kupunguza upenyezaji wa Ag | Pasta iliyorekebishwa kwa oksidi ya metali ya alkali yenye 4 wt% Na₂O/K₂O na unga mbaya wa fedha, ikipunguza upinzani wa mguso hadi 0.55 mΩ·cm² |
| Muundo wa nyuma | Usafishaji wa kawaida wa nyuma | Usafishaji wa nyuma uliopangwa kwa sababu p-TOPCon ni nyeti zaidi kwa muundo wa uso na inahitaji J₀ ya chini |
| Lengo kuu | Zuia kupenya kwa Ag wakati wa kudumisha upitishaji | Zuia kupenya kwa Ag, punguza kasoro za kiolesura zinazohusiana na boroni na kuboresha uwekaji wa metali wa p+ poly-Si |

Data ya mchakato iliyoripotiwa inajumuisha uoksidishaji wa ndani wa nyuma kwa 650°C, safu ya kati ya SiOx ya takriban 1 nm, uwekaji wa boroni wa 1 × 10²⁰ cm⁻³, ukamilifu wa fuwele wa 98% baada ya uanzishaji wa awali wa 1050°C, Voc iliyodokezwa ya 747 mV, na upinzani wa mguso wa 0.55 mΩ·cm² kwa kutumia pasta iliyorekebishwa kwa metali ya alkali yenye unga mbaya wa fedha.

Maelezo moja ni rahisi kukosa. **Safu ya nje ya p+ poly-Si ina unene wa 90 nm, 50% nene zaidi kuliko safu ya nje ya takriban 60 nm inayotumika upande wa n-TOPCon.**

Hii si ongezeko la kiholela. Boroni ina umumunyifu wa chini wa yabisi katika poly-Si kuliko fosforasi, kwa hivyo sehemu iliyowekwa kwa wingi inahitaji unene zaidi ili kupunguza upinzani wa mguso. Wakati huo huo, hatua ya uanzishaji wa awali wa 1050°C inasababisha boroni kuingia ndani. Safu ya nje nene zaidi husaidia kuzuia boroni kupenya na kuharibu safu ya chini ya SiOx.

Hiyo ni kinyume cha mkakati wa n-TOPCon, ambapo safu ya nje inaweza kubaki nyembamba na isiyo na fuwele nyingi.

## Upande wa Mbele: Mkakati wa 430 Ω/□ Unabadilishwa na Uwekaji Mahali

Swali lililoachwa na utafiti uliopita lilikuwa kama mkakati wa kizuizi cha boroni cha upinzani wa juu wa 430 Ω/□ bado ungetumika kwa mguso wa mbele wa n-TOPCon wenye vidole.

Jibu kutoka kwa seli ya 26.34% ni wazi: **haitumiki. Muundo unahamia kwenye njia tofauti.**

Seli ya 26.66% inatumia kizuizi cha kawaida cha boroni kilichosambazwa mbele chenye upinzani wa karatasi wa 430 Ω/□. Vidole vyembamba vya metali vya takriban 10 μm hufidia upitishaji dhaifu wa kando.

Seli ya 26.34% inaondoa kizuizi cha kawaida cha boroni cha mbele na kubadilisha na **vidole vya n-TOPCon vilivyopangwa vyenye upana wa takriban 210 μm, vikiacha poly-Si tu chini ya maeneo ya mguso wa metali**.

Utaratibu wa kupunguza muunganiko kwa hivyo unabadilika kutoka kupunguza mkusanyiko wa dopanti kupitia upinzani wa juu wa karatasi hadi kupunguza eneo linalofunikwa na poly-Si.

- **Muundo wa uso unabadilishwa kwanza.** Ozoni na HF hutumiwa kuzungusha ncha za piramidi. Hii hupunguza upitishaji mbaya na mmomonyoko wa rangi ya fedha karibu na vilele vya muundo mkali.
- **Sehemu ya joto inayobadilika, au GTF, inaingizwa katika LPCVD.** Upana kamili wa Raman kwa nusu ya kilele hufikia 8.4 cm⁻¹. Thamani ya chini inaonyesha ukamilifu bora wa kioo. Sehemu ya joto inayobadilika inaboresha usawa wa joto wa kando na wima na kuongeza ukamilifu wa kioo wa n+ poly-Si.
- **Uchafuzi wa fosforasi hufikia 3.3 × 10²⁰ cm⁻³.** Hii ni karibu mara moja zaidi ya mkusanyiko wa fosforasi unaotumiwa katika mguso wa nyuma wa 26.66%. Vidole vya mbele vya n+ vimeundwa kwa upitishaji umeme badala ya upitishaji kamili wa eneo. Kazi nyingi ya upitishaji hufanywa na mguso wa nyuma wa p-TOPCon wa eneo kamili.
- **Upana wa kidole ni takriban 210 μm.** Poly-Si hubaki chini ya chuma, wakati eneo la muundo lisilo na mguso linaachwa wazi. Hii hupunguza kwa kiasi kikubwa ufyonzaji wa vimelea vya upande wa mbele ikilinganishwa na mguso wa poly-Si wa eneo kamili.

Mbinu ya 430 Ω/□ ni ya enzi ya boroni-emitter. Katika muundo wa n-TOPCon wenye vidole, muunganiko hudhibitiwa kupitia **ufuniko wa poly-Si uliowekwa mahali, muundo wa uso uliozungushwa na ukamilifu bora wa kioo kutoka GTF-LPCVD**, badala ya kuongeza tu upinzani wa karatasi.

Hii husaidia kueleza jinsi seli ya 26.34% inafikia Voc ya 743.2 mV, karibu na 744.6 mV iliyoripotiwa kwa seli ya 26.66%, wakati pia ikipata Jsc ya juu. Mguso wa mbele uliowekwa mahali hupunguza ufyonzaji wa vimelea ambao ungebaki katika muundo wa poly-Si wa mbele wa eneo kamili.

## Ulinganisho wa Kando kwa Kando wa Miundo Miwili ya Dada ya 26%

### Miguso ya Nyuma ya Tabaka Mbili ya SiOx/poly-Si

| Tabaka au mchakato | 26.66% n-TOPCon nyuma | 26.34% p-TOPCon nyuma | Sababu kuu ya tofauti |
| --- | --- | --- | --- |
| SiOx ya chini | Takriban 1.3–1.6 nm, iliyoundwa katika O₂ kwa 620°C | Takriban 1.8 nm, iliyoundwa mahali hapo kwa 650°C | Upande wa aina ya p unahitaji kizuizi kikali dhidi ya kupenya kwa boroni, ingawa upitishaji wa mashimo ni mgumu zaidi |
| Poly-Si ya ndani | Takriban 40 nm, iliyochafuliwa kwa kiasi na fosforasi na yenye ukamilifu mkubwa wa kioo | 36 nm, imechangiwa kwa boroni kwa kiwango kidogo | Boroni ina umumunyifu mdogo wa yabisi; tabaka la ndani jembamba linaweza bado kusaidia upitishaji wa passivation |
| SiOx ya kati | Takriban 1.5 nm, iliyoundwa katika O₂ kwa 620°C | Takriban 1 nm, iliyoundwa mahali hapo | Uvukaji wa tunneli unahitaji zaidi upande wa p-type, hivyo tabaka la kati haliwezi kuwa nene sana |
| Poly-Si ya nje | Takriban 60 nm, imechangiwa kwa fosforasi kwa kiwango kikubwa na hasa isiyo na muundo wa kioo | 90 nm, imechangiwa kwa boroni kwa kiwango kikubwa | Umeteshaji wa p+ poly-Si ni mgumu zaidi, unahitaji tabaka nene na pasta iliyobadilishwa |
| Uwekaji joto | Takriban 880–920°C | Uwekaji wa awali wa joto wa 1050°C, kufikia 98% ya ukamilifu wa kioo | Boroni inahitaji joto la juu la uanzishaji, wakati mchakato lazima pia udhibiti kasoro za kiolesura zinazohusiana na boroni |
| Pasta ya fedha | Pasta ya kawaida iliyounganishwa na tabaka la nje lisilo na muundo wa kioo | 4 wt% ya oksidi ya metali ya alkali pamoja na unga mbaya wa fedha | Umeteshaji wa p+ poly-Si bado ni mojawapo ya vikwazo vikuu vya mchakato |

### Ulinganisho wa Upande wa Mbele

| Kipengele | 26.66% upande wa mbele | 26.34% upande wa mbele |
| --- | --- | --- |
| Muundo | Kitoa cha boroni kilichoenea eneo lote | Vidole vya n-TOPCon vilivyowekwa mahali maalum takriban 210 μm kwa upana |
| Mkakati wa kudhibiti muunganiko upya | Upinzani wa juu wa karatasi wa 430 Ω/□ ili kupunguza mkusanyiko wa dopant | Upungufu wa ufunikaji wa poly-Si pamoja na muundo wa uso uliozungushwa |
| Muundo wa uso | Muundo wa kawaida wa piramidi zilizopinduliwa | Piramidi zilizozungushwa zilizotibiwa kwa Ozoni na HF |
| Uwekaji wa poly-Si | Haifai | GTF-LPCVD yenye Raman FWHM ya 8.4 cm⁻¹ |
| Dopant | Boroni | Fosforasi kwa 3.3 × 10²⁰ cm⁻³ |

## Kile Makala Mbili Zinasema Kuhusu Maendeleo ya Mawasiliano ya Nyuma Zaidi ya 26%

Ujumbe wa pamoja ni wa moja kwa moja kiasi.

> **Katika kiwango cha 25%, lengo lilikuwa tabia ya pinhole ya safu ya oksidi. Katika kiwango cha 26%, maendeleo yalielekea kwenye miundo ya tabaka mbili ya SiOx/poly-Si na uhandisi wa metallization. Zaidi ya 26.3%, njia zinaanza kugawanyika: mawasiliano ya nyuma ya n-TOPCon yanafuata ushirikiano wa umeme wa bifacial, wakati mawasiliano ya nyuma ya p-TOPCon yanaelekea kwenye mpangilio wa back-junction na vidole vya mbele vilivyowekwa ndani. Mwisho tayari uko karibu na usanifu wa BC-TOPCon wa sehemu.**

Safu ya kati ya SiOx inayotumika kuzuia kupenya kwa fedha ni kipengele kinachoshirikiwa na miundo yote miwili ya mawasiliano ya nyuma ya tabaka mbili. Upande wa p-TOPCon, hata hivyo, lazima utatue matatizo matatu ya ziada:

- Hatua ya pre-annealing ya 1050°C inahitajika ili kuamsha boroni, kuongeza crystallinity na kukandamiza matatizo ya interface yanayohusiana na boroni.
- Paste ya fedha iliyobadilishwa na alkali-metal-oxide inahitajika kushughulikia metallization ngumu ya p+ poly-Si.
- Usafishaji na planarization ya upande wa nyuma inakuwa muhimu zaidi kwa sababu p-TOPCon ni nyeti zaidi kwa texture ya uso na athari yake kwenye J₀.

Masuala haya hayakuwa ya kati kwa usanifu wa 26.66% n-TOPCon. Kwa ufupi, **mawasiliano ya p-TOPCon ya tabaka mbili ni ngumu zaidi kutengeneza kuliko mwenzake wa n-TOPCon, lakini inaweza kutoa uwezo wa juu wa Voc mara tu mchakato unadhibitiwa.**

Mawasiliano ya nyuma ya p-TOPCon ya tabaka mbili katika seli ya 26.34% yalifikia Voc ya implied ya 747 mV, juu kidogo kuliko kiwango cha jumla cha Voc ya implied kilichojadiliwa kwa usanifu wa 26.66%.

## Vigezo vya Mstari wa Uzalishaji Vinavyoweza Kutumika Moja kwa Moja

1. **Boresha usafishaji na planarization ya nyuma.** Mstari wa uzalishaji wa p-TOPCon haupaswi kuchukulia usafishaji wa nyuma kama mchakato unaohitaji tu kuwa “wa kutosha.” Planarization ina ushawishi mkubwa zaidi kwenye J₀ ya mawasiliano ya p-TOPCon ya tabaka mbili kuliko inavyofanya kwa n-TOPCon.
2. **Tengeneza safu ya kati ya SiOx in situ kwa takriban 1 nm.** Kunakili oksidi ya joto ya 1.5 nm iliyotumika katika muundo wa 26.66% n-TOPCon kunaweza kupunguza tunnelling na kudhuru FF upande wa p-type.
3. **Anzisha hatua ya pre-annealing ya 1050°C.** Bila matibabu haya, uanzishaji wa boroni na crystallinity ya 98% ni vigumu kufikiwa, na kufanya Voc ya implied ya 747 mV isiwezekane.
4. **Tumia paste ya fedha iliyobadilishwa na alkali-metal-oxide.** Muundo ulioripotiwa unatumia 4 wt% Na₂O/K₂O na unga mbichi wa fedha. Upinzani wa mawasiliano wa 0.55 mΩ·cm² ni lengo gumu kwa upande wa p-TOPCon. Kasi ya kawaida inaweza kusababisha upinzani wa mfululizo kupanda kwa kasi kwenye mawasiliano ya p+.
5. **Dhibiti upana wa kidole cha mbele kwa takriban 210 μm.** Usahihi wa uundaji wa laser lazima uende sambamba na jiometri nyembamba ya mawasiliano. Kupunguza upana wa kidole zaidi kunaweza kupunguza unyonyaji wa vimelea tena, lakini uharibifu wa laser kwenye safu ya tabaka mbili utahitaji kutathminiwa upya.

## Swali Linalofuata kwa BC-TOPCon

Muundo wa 26.34%, wenye vidole vya n-TOPCon vya mbele na mawasiliano ya nyuma ya p-TOPCon ya tabaka mbili ya eneo kamili, kwa kweli ni toleo la sehemu la BC-TOPCon.

Hatua inayofuata ya kimantiki itakuwa kuweka mawasiliano ya nyuma ya p-TOPCon kuwa ya eneo maalum pia, kupanga vidole vya p-type vya nyuma na vidole vya n-type katika muundo wa kuingiliana. Hiyo itaunda muundo wa kweli wa BC-TOPCon.

Hii inazua swali jipya. Je, safu ya kati ya SiOx katika mawasiliano ya nyuma ya p-TOPCon ya eneo maalum inapaswa kubaki SiO₂ safi, au inapaswa kubadilishwa na **SiOx iliyowekwa nitrojeni kufuatia njia ya aina ya OGO** ili kuimarisha upitishaji wa shamba? Chaguo jingine lingekuwa **mchanganyiko wa AlOx/SiOx**, kwa kutumia athari ya shamba ya oksidi ya alumini pamoja na mawasiliano ya tabaka mbili ya SiOx/poly-Si.

Utafiti wa 26.34% haukuchunguza suala hili kwa sababu mawasiliano yake ya nyuma ya p-TOPCon yalibaki ya eneo kamili na hayakutegemea upitishaji wa athari ya shamba wa eneo maalum. Hata hivyo, mara mawasiliano ya nyuma ya p-type yanapokuwa ya vidole, mchanganyiko wa upitishaji wa athari ya shamba wa AlOx na muundo wa tabaka mbili wa SiOx/poly-Si unaweza kuwa chaguo kubwa la hatua inayofuata.

Pia kuna swali la mchakato linalohusiana na tandem. Seli ya chini iliyotumika katika tandem ya 32.73% ina uso wa mbele wenye maandishi. Uigaji katika Kielelezo 1 unaonyesha kwamba muundo wa finger-TOPCon wa pande mbili unaweza kuwa na uwezo mkubwa wa tandem kuliko muundo wa TOPCon wa pande mbili wa eneo kamili.

Lakini usawa wa photoluminescence unapaswa kudhibitiwaje katika uso wa mbele wenye maandishi na vidole vya n-TOPCon vya eneo maalum? Nishati nyingi za laser zinaweza kuchoma au kuboresha ncha za piramidi kwa ndani. Hiyo inaweza kutumia sehemu ya dirisha la mchakato lililoundwa na matibabu ya piramidi iliyozungushwa.

Katika tafiti tatu—kutoka seli ya Das Solar ya 25.4% hadi seli za 26.66% na 26.34%—mantiki ya mawasiliano ya nyuma imehamia katika vizazi vitatu: **udhibiti wa pinhole ya oksidi, ulinzi wa tabaka mbili dhidi ya kupenya kwa fedha, na hatimaye p-TOPCon ya tabaka mbili iliyounganishwa na metallization iliyorekebishwa kwa alkali-metal.**

## Maoni ya Ooitech

Dirisha la mchakato ndilo kizuizi halisi hapa. Mara p-TOPCon inapohama kutoka mguso wa nyuma wa eneo kamili kuelekea vidole vya BC vilivyowekwa ndani, upinzani wa mguso, uharibifu wa leza, uanzishaji wa boroni na passivation ya athari ya shamba vitalazimika kuboreshwa kama mfumo mmoja uliounganishwa. Tabaka nyembamba la kati la SiOx linaweza kulinda FF, lakini pia linaacha nafasi ndogo dhidi ya kupenya kwa fedha na uharibifu wa kiolesura unaosababishwa na boroni. Matokeo yafuatayo yenye manufaa yatakuwa yale yanayoonyesha dirisha hili kamili la ujumuishaji kwenye wafers za ukubwa wa uzalishaji, sio tu thamani ya kilele cha ufanisi.

## Usomaji zaidi na data ya usuli

Nyenzo za marejeleo za umma kuhusu mada hii, zilizochapishwa na mashirika yanayosimamia ramani ya teknolojia na data ya soko ya sekta hii:

- [VDMA — Ramani ya Kimataifa ya Teknolojia kwa Photovoltaic (ITRPV)](https://www.vdma.org/international-technology-roadmap-photovoltaic)
- [Fraunhofer ISE — Ripoti ya Photovoltaics](https://www.ise.fraunhofer.de/en/publications/studies/photovoltaics-report.html)
- [pv magazine — habari za sekta ya PV duniani na maelezo ya kiufundi](https://www.pv-magazine.com/)

---

##### Lebo :

![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png)

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp)

### Omba Nukuu

Upakiaji wote ni salama na wa siri.

## Tunatoa utaalamu unaoweza kuamini huduma yetu

Vifaa vya Moja kwa Moja kutoka Kiwandani.

![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg)

### Faida za Gharama Nafuu

Tunatoa thamani ya kipekee, tukiongeza matokeo huku tukiboresha bajeti za wateja.

![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg)

### Timu Yetu ya Uzoefu

Wataalamu wetu wenye ujuzi wamebobea katika suluhisho za kibunifu na mikakati iliyobinafsishwa.

![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg)

### Uzoefu wa Miaka 15+ katika Sekta

Utaalamu wa kina unahakikisha matokeo ya kuaminika, yanayofuata mwenendo, na yaliyothibitishwa kwa mafanikio.

![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp )

![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp)

![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png)

## Wateja Wetu Wanasema Nini kuhusu sisi

Ushuhuda wa wateja unasifu uelewa wetu wa kina wa changamoto zao, ambao husababisha suluhisho za kibunifu na faida kubwa. Ushirikiano wa muda mrefu—baadhi zaidi ya muongo mmoja—unaonyesha imani na kuridhika kwao. Hadithi zao za mafanikio zinatusukuma kuzidi matarajio kila wakati. [Jifunze Zaidi **](#quote-form)

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

Asante Ooitech kwa kutoa vifaa vya uzalishaji vinavyojifanya kazi kikamilifu—usakinishaji wenu na huduma baada ya mauzo vimekuwa bora.

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp)

### Amjad

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

Mtu mwenye roho kubwa. Asante sana kwa ziara yako Bw Wu. Asante sana kwa huduma zilizotolewa katika kufunga vifaa na kufundisha wanafunzi wangu. Mtu mkarimu zaidi na mtaalamu katika fani yake

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp)

### Taasisi ya Polytechnic ya Jizzakh

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

asante kwa msaada wa kitaalamu wa ooitech na huduma ya baada ya mauzo kwa wakati.

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp)

### Diarra Kutoka Afrika

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

Asante tena sana kwa msaada mkubwa sana wa kuboresha na kurekebisha kiwanda na pia kuwafundisha wafanyakazi jinsi ya kutumia mashine

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp)

### Mark

BIPV Philippines

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

Asante Ooitech kwa kutoa vifaa vya majaribio vya seli za sola za BC vinavyofaa sana.

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp)

### KTECH

## Bidhaa Zetu za Hivi Karibuni

![SC-10C Kukata kwa Laser kwa Kiotomatiki Kamili kwa Silicon Wafer](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774340166130021.webp)

- [** ooitech](./SC-10C-Full-Automatic-Silicon-Wafer-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-Solar-Cell-Production-Equipment.html)
- [** 30139](./SC-10C-Full-Automatic-Silicon-Wafer-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-Solar-Cell-Production-Equipment.html)

### SC-10C Kukata kwa Laser kwa Kiotomatiki Kamili kwa Silicon Wafer

SC-10C Mashine ya Kukata kwa Laser kwa Kiotomatiki Kamili kwa Silicon Wafer na Ooitech - Kifaa cha kukata cha usahihi wa kasi ya juu kwa uzalishaji wa seli za sola na 860PCS/H

![OSLB-1300 BC Cell Stringer: Seli 1000/h, ±0.10mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032311945973.png)

- [** ooitech](./oslb-1300-back-contact-cell-welding-machine-bc-solar-cell-stringer-for-ibc-abc-hpbc-panel-production.html)
- [** 99025](./oslb-1300-back-contact-cell-welding-machine-bc-solar-cell-stringer-for-ibc-abc-hpbc-panel-production.html)

### OSLB-1300 BC Cell Stringer: Seli 1000/h, ±0.10mm

Mashine ya kuchomea seli ya mgongo ya OSLB-1300 na Ooitech hutoa uwezo wa ≥1000 seli/saa kwa kuchomea kamba za seli za sola za BC, IBC, ABC, na HPBC.

![SC-20D Mashine ya Kukata Seli za Sola kwa Leza Mbili](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1773917787610971.webp)

- [** ooitech](./SC-20D-Full-Automatic-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-Wafer-Scribing-Equipment.html)
- [** 51292](./SC-20D-Full-Automatic-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-Wafer-Scribing-Equipment.html)

### SC-20D Mashine ya Kukata Seli za Sola kwa Leza Mbili

SC-20D ni toleo la hali ya juu la SC-20A, lililoundwa mahsusi kwa uzalishaji wa seli za sola za shingled, lenye vichwa viwili vya leza na leza mbili zinazofanya kazi

![Mashine ya Kuweka na Kuunganisha Paneli za Sola: Moduli za 10W hadi 600W, TOPCon BC PERC HJT](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1790216004194913.webp)

- [** ooitech](./solar-panel-layup-and-bussing-machine.html)
- [** 267](./solar-panel-layup-and-bussing-machine.html)

### Mashine ya Kuweka na Kuunganisha Paneli za Sola: Moduli za 10W hadi 600W, TOPCon BC PERC HJT

Mashine ya kuweka na kuunganisha paneli za sola inayochanganya kuweka kamba na kuunganisha utepe wa basi katika kituo kimoja, kwa moduli za 10W hadi 600W na seli za TOPCon, BC, PERC na HJT, inayofanya kazi mfululizo na mashine ya kamba au peke yake.

![Kipima EL Kinachobebeka: 24MP, Hutambua Nyufa za 0.2mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026051214015103.webp)

- [** ooitech](./portable-hd-el-tester-for-solar-module-inspection.html)
- [** 835](./portable-hd-el-tester-for-solar-module-inspection.html)

### Kipima EL Kinachobebeka: 24MP, Hutambua Nyufa za 0.2mm

Kipimo cha EL cha kubebeka cha ubora wa juu chenye kamera ya infrared ya 24MP inayolenga kiotomatiki kwa upimaji wa mwanga wa umeme wa moduli za sola

![Mashine ya Kubandika Tepe kiotomatiki: Mzunguko wa 25s, ±2mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774350079476146.webp)

- [** Rachael](./automatic-tape-sticking-machine-for-solar-panel-production-line-ooitech.html)
- [** 81779](./automatic-tape-sticking-machine-for-solar-panel-production-line-ooitech.html)

### Mashine ya Kubandika Tepe kiotomatiki: Mzunguko wa 25s, ±2mm

Ooitech Mashine ya Kubandika Tape ya Kiotomatiki huweka tape ya wambiso kwenye nyaya za seli za sola kwa usahihi wa hali ya juu na kasi.